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文章摘要：伟德国际公司,北京交通职业技术学院 轰26book西方大汉，申博IM体育游戏登入，不能再掉下去了不止我一个人呢傀儡。
MOS管型号：HC1033D 参数：100V 8A 封装：DFN3333 内阻：143mR(Vgs=10V) 150mR(Vgs=4.5V) 结电容：405pF 开启电压：1.6V 应用领域：车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能源 ...
2021-1-7 11:51 - Q3007519876 - 二手交易
MCP1633_SEPIC demo board/PWMLED调光/适用于下桥臂MOSFET的拓扑 公众号：游名科技 1、MCP1633简介 MCP1633高速PWM控制器是一款针对独立电源应用开发的脉宽调制器。MCP1633的设计基于MCP1632 PWM控制器，伟德国际公司：但额外增 ...
2020-10-8 20:34 - mmuuss586 - Microchip论坛
电源技术资料，MOSFET IGBT入门与精通资料合集，大概190份文档，挑需要的看看。[/backcolor] 链接：http://www.421.1557744.com/s/19CWj40isuy5LoN-c3wYlKA 提取码：**** 本内容被作者隐藏 **** ...
2019-11-27 20:04 - xlhtracy007 - 电源技术
汽车发展到今天，也有100多年了。而如今，汽车领域正处于飞速发展的风口上，提供高智能自动化水平以及节能环保的性能是汽车发展的重要标准，同时也是汽车电子系统所面临的巨大挑战。 为满足市场要求，安森美半导 ...
半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率MOSFET。与此同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些 ...
2020-12-9 14:38 - 火星国务卿 - Microchip论坛
求推荐一款对DC 12V 过压和欠压保护的MOSFET开关芯片 带过压和欠压检测保护， 可以通过电阻设置参数。 超过或低过 关闭MOSFET SOP8封装 正常12V （4A）; 可以设置 低于10伏截止输出。 大于14V停止输出。 这样的 ...
意法半导体最新的900V MDmesh? K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性 900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产 ...
2020-11-13 14:19 - laocuo1142 - ST MCU论坛
设计了一款BUCK电路，PWM由MCU控制PWM，频率是48KHZ，使用的是NMOS管，VBAT是4V，MCU是3.3V的，输出最大电流6A，电路图如下：请问合理不？对MOS管的驱动不熟悉。 ...
2020-11-19 12:03 - guohui198503 - 电源技术
最近做图腾柱电路来驱动MOSFET。MOS型号：KIA75NF75 。 出现的问题是MOS发热严重，甚至是击穿。 分析得出应该是MOS工作在恒流区，发热严重，把栅级的驱动电阻10欧姆改为5欧姆，强了点，不立即烧MOS，可依旧发热。 ...
如题。请问一下，MOSFET的手册里面哪个参数能看的出来，当其作为开关管，完全打开的时候，Vgs的电压？ 同事跟我讲，默认12V大多数都可以完全打开(NMOS)。低于12V就有点悬，MOS打开不完全，会导致Rds的电阻过大，MOS ...
SLM2136可完美代替IR2136S 性价比高，Q695997391
2019-4-11 14:12 - sillumin半导体 - 工控、机电一体化
谈到汽车自动化，我们很容易联想到“自动泊车、自动加减车速、自动刹车、车道偏移技术”等人性化的服务，汽车的“技术派”发展成为各大汽车品牌争夺市场的重要手段，但是要想更完善的达到汽车自动化，必不可少的一 ...
2020-10-21 12:08 - 雨后彩虹呀 - 华大半导体MCU论坛
电源技术资料，MOSFET IGBT应用入门与精通学习资料，接近200份文档。按需查看。 链接：http://www.826.8446611.com/s/1RvxpMeilO5a4IwhJKDL4sA 提取码回帖可见：**** 本内容被作者隐藏 **** 部分文件截图： ...
2019-11-6 16:29 - xlhtracy007 - 电源技术
图片已经附上，我们说在t2时刻已经到达米勒平台电压。此时老师说在t2时刻漏电流id达到最大，电流保持不变，管子处于放大状态，Rdson一直在变化，从无穷小到很小的值变，这里我很不理解漏极电压/Rdson不是等于漏电流i ...
需求，系统由14节电池供电（4.2*14 = 58.8），负载以电机为主，现在需要在电池和负载之间插入一个开关，我目前想到的方案就是用P-CH MOS来实现，在选型的时候，主要有几个难处，负载启动常态电流在2A左右，但经常会 ...
2020-9-15 15:43 - stevenzeng2017 - 模拟技术论坛
30V：TPN2R203NC,TPN1R603PL DFN3*3 ;TPH1R403PL ,TPHR9003, DFN5*6 NTTFS4C02 , 40V:TPN2R304PL DFN3*3 ;TPH1R204PL,TPHR8504PL,NTMFS5C430 DFN5*6 60V：TPH2R306PL ,TPH3R506PL,NTMFS5C628,DFN5*6 80V:TPH4 ...
本人以前没有设计过电机驱动方案，所以想请教各位有经验的前辈，在电机驱动控制板上，大家都用什么方式驱动功率MOSFET？ 哪些驱动方案比较经济实惠？ 当然因为电机功率不同，驱动方式应该也不尽相同。不妨都说来听 ...
想用国内的功率MOSFET，不知道哪家品质好，哪家性价比高。有高手可以指点一下吗？
请教各位，有没有通过并联方式（如3个30A的MOSFET并联来实现90A的目标）来扩大功率MOSFET的工作电流的经验？这种方式是否可行？在实际使用上需要注意些什么？这样做有经济性吗？感谢！ ...
世纪金光，泰科天润，基本半导体等等？
在EPS系统中用MOSFET来实现相切断功能存在如下几个问题： 一、因其所处的电路位置造成很难有续流回路。 二、相切断MOSFET关断时的关断电流通常都是故障电流，其值比较大，通常会超过100A。 三、关断 ...
150V50A规格的功率NMOS管，有哪些性价比好的选择？有知晓的大神请推荐一下。
在当前全球能源危机的形式下，提高电子设备的能效，取得高性能同时降低能耗，成为业内新的关注点。为顺应这一趋势，世界上许多电子厂商希望在产品规格中提高能效标准。在电源管理方面，用传统的硬开关转换器是很难达 ...
由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（ ...
本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。MOSFET功率变换器，特别是电动汽车驱动电机功率变换器，需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误，就会致使变换 ...
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构（650V / 1200V）的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装（TO-247-4L）型款，与传统3引脚封装类型（TO-247N）相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低 ...
2020-8-28 09:22 - a13528442080 - DIY讨论区
#Microchip知识# 半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率 MOSFET。为了使 SiC 器件在任务和安全关键型应用中保持较高的普及率，应将认证和测试策 ...
2020-8-21 15:33 - 麦小播 - Microchip论坛
2020-8-13 15:11 - arkmicro2019 - 电子技术交流论坛
解析功率MOSFET并联产生寄生振荡的原因与解决方法功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅 ...
MOSFET规格书参数详解（参考AOD444）* [/backcolor]说明：MOS管漏极和源极最大耐压值。测试条件：在Vgs=0V，栅极和源极不给电压。影响：超过的话会让MOSFET损坏。 说明：ID的漏电流。测试条件：在Vgs=0V，在漏极和源 ...
耗尽型 MOSFET 在工业传感器、智能变送器中的应用 近年来，耗尽型 MOSFET 日益受到重视，广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等，涵盖了 ...
2020-8-6 17:29 - arkmicro2019 - 电子技术交流论坛
简介 MOSFET – 是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写词，它是电子行业高频高效开关领域的 关键 组件。让人称奇的是，FET 技术发明于 1930 年，比双极晶体管要早大约 20 年。第一个信号级 FET 晶体管诞生于 2 ...
摘要 : 功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、 ...
中国，2017年3月23日—— 意法半导体最新的900VMDmesh? K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保高总线电压系统具 ...
在当前全球能源危机的形式下，提高电子设备的能效，取得高性能同时降低能耗，成为业内新的关注点。为顺应这一趋势，世界上许多电子厂商希望在产品规格中提高能效标准。在电源管理方面，用传统的硬开关转换器是很难达 ...
2020-7-25 11:18 - yes19891989 - ST MCU论坛
摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶 ...
2020-7-25 11:11 - yes19891989 - ST MCU论坛
SIC MOSFET 之最[/backcolor] [/backcolor] SIC MOS TO-247单管，[/backcolor] 1200V 耐压，目前最高水平做到导通电阻22毫欧，过电流能力95A， 代表产品：ROHM SCT3022KL.[/backcolor] [/backcolor] 高压，高频率， ...
24V电机，R5、R6分压应该约9V，驱动STP60NF06L应足够。 不知前面Q1、Q2的用法是否正确？如何改进？ 谢谢各位大虾！
USB PD全称为USB Power Delivery，是由USB-IF组织制定的一种快速充电协议，也是目前市场非常看好的一种协议，可以支持输出功率高达100W；Type-C是一种接口规范，能够支持传输更大的电流。USB PD应用市场 ...
求推荐国产32位单片机内置MOSFET
